该器件专为通用高电压放大器和气体放电显示驱动器而设计。
技术特性
实物参考图 |
应用
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产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
2N5551TA | 量产 | $0.0188 | TO-92 3L 示意图 | 第一行:2N 第二行:5551 第三行:-3 (3 位日期代码) |
FIT : 3.8 RTHETA (JA) : 200 °C/W RƟJC : 83.3 °C/W |
2N5551TFR | 量产 | $0.02 | TO-92 3L 示意图
胶带卷轴 |
第一行:2N 第二行:5551 第三行:-3 (3 位日期代码) |
FIT : 3.8 RTHETA (JA) : 200 °C/W RƟJC : 83.3 °C/W |
2N5551TF | 量产 | $0.02 | TO-92 3L 示意图
胶带卷轴 |
第一行:2N 第二行:5551 第三行:-3 (3 位日期代码) |
FIT : 3.8 RTHETA (JA) : 200 °C/W RƟJC : 83.3 °C/W |
2N5551BU | 量产 | $0.0174 | TO-92 3L 示意图 散装 | 第一行:2N 第二行:5551 第三行:-3 (3 位日期代码) |
FIT : 3.8 RTHETA (JA) : 200 °C/W RƟJC : 83.3 °C/W |
应用指南 | 说明 |
AN-1025 | Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs(260 K) 2011年3月05日 |
概述 | 文档编号 | 版本 |
NPN通用放大器 | 2N5551 | 1 |