该器件设计用于低电流DC和音频应用。 这些器件为次皮安级仪器或任何高阻抗信号源提供了作为输入级的极佳性能。 采用工艺53设计。
实物参考图 |
应用
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产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
MMBF4118 | 量产 | $0.4495 | SOT-23 3L 示意图
胶带卷轴 |
第一行:E(空间) Y (二进制历年编码) 第二行:61C |
FIT : 5.7 RTHETA (JA) : 556 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
应用指南 | 说明 |
AN-1025 | Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs(260 K) 2011年3月05日 |
概述 | 文档编号 | 版本 |
N沟道开关 | J112 | 1 |