FDB8443:N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V，182A，3mΩ
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDB8443 | 量产 | $1.62 |
TO-263 2L (D2PAK) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDB 第三行:8443 |
FIT : 0.9 RTHETA (JA) : 62 °C/W RƟJC : 0.8 °C/W |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V，182A，3mΩ | FDB8443 | 1 |
