J175:P沟道开关

P沟道开关 该器件设计用于低电平模拟开关、采样保持电路以及斩波器稳定放大器。 采用工艺88设计

实物参考图

J175 实物参考图

应用
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订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
J175_D26Z 量产 $0.0841 TO-92 3L 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
第二行:J175
FIT :  5.7  
RTHETA (JA) :  357  °C/W
RƟJC :  125  °C/W
应用指南
应用指南 说明
AN-1025 Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs(260 K) 2011年3月05日
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概述 文档编号 版本
P沟道开关 J112 1