NPN型硅平面高频高反压三极管 3DG181

电参数 极限参数 直流参数 交流参数 外形
PCM
mW
ICM
mA
BVCBO
V
BVCEO
V
BVEBO
V
ICBO
µA
ICEO
µA
IEBO
µA
VBES
V
VCES
V
hFE fT
MHz
测试条件     IC=
100µA
IC=
100µA
IE=
100µA
VCB=
30V
VCE=
30V
VEB=
1.5V
IC=100mA
IB=10mA
VCE=10V
IC=50mA
VCE=10V
Ic=20mA
f=30MHz
型号 3DG181A
3DG181B
3DG181C
3DG181D
3DG181E
3DG181F
700 200 60
100
140
180
220
60
60
100
140
180
220
60
5 0.5 1 2 1 0.8 20 50 B-4
用途:用于电子设备的高频放大和振荡电路