NPN型硅平面高频高反压三极管 3DG182

电参数 极限参数 直流参数 交流参数 外形 国外相应产品型号
PCM
mW
ICM
mA
BVCBO
V
BVCEO
V
BVEBO
V
ICBO
µA
ICEO
µA
IEBO
µA
VBES
V
VCES
V
hFE fT
MHz
测试条件     IC=
100µA
IC=
100µA
IE=
100µA
VCB=
30V
VCE=
30V
VEB=
1.5V
IC=200mA
IB=20mA
VCE=5V
IC=100mA
VCE=10V
Ic=20mA
f=30MHz
型号 3DG182A
3DG182B
3DG182C
3DG182D
3DG182E
3DG182F
3DG182G
3DG182H
700 300 60
100
140
180
220
60
100
140
60
100
140
180
220
60
100
140
5 0.5 1 2 1.2 0.8 20 50
50
50
50
50
100
100
100
B-4  
用途:用于电子设备的高频放大和振荡电路