VD80N60 (代ON4897) RF VDMOS高频、低噪声功率场效应晶体管
| 参数符号 |
VDS |
VGS |
IDS |
PDM |
TjM |
Tstg |
| 额定值 |
40 |
20 |
4 |
90 |
200 |
-55到+150 |
| 单
位 |
V |
V |
A |
W |
°Ç |
°Ç |
最大额定值：(Ta=25°Ç) 2-175MHz 12V Po=15W
| 电特性：Ta=25°Ç |
| 参数名称 |
参数符号 |
测试条件 |
最小值 |
最大值 |
单
位 |
| 漏源穿击电压 |
VDSS |
VGS=0；ID=10mA |
40 |
|
V |
| 漏源漏电流 |
IDSS |
VGS=0；VDS=15v |
|
1 |
mA |
| 栅源漏电流 |
IGSS |
VGS=20；VDS=0v |
|
1 |
µA |
| 开启电压 |
VGS(th) |
ID=100mA；VDS=10v |
2 |
4.5 |
V |
| 跨 导 |
gm |
ID=1.0A；VDS=10v
△VGS=1.0V |
0.5 |
|
S |
| 共源极短路输入电容 |
Ciss |
VDS=12V；f=1MHz |
|
50 |
PF |
| 共源极短路输出电容 |
Coss |
VDS=12V；f=1MHz |
|
60 |
PF |
| 共源极短路反馈电容 |
Crss |
VDS=12VV；f=1MHz |
|
12 |
PF |
| 功率增益 |
Gp |
VDD=12V；IDQ=100mA
Pout=15W；f=175MHz |
9.5 |
|
dB |
| 漏极效率 |
Dd |
60 |
|
％ |
| 失配耐量 |
VSWR-T |
|
30：1 |
|
