VD80N60 (代ON4897) RF VDMOS高频、低噪声功率场效应晶体管

参数符号 VDS VGS IDS PDM TjM Tstg
额定值 40 20 4 90 200 -55到+150
单 位 V V A W °Ç °Ç
最大额定值:(Ta=25°Ç)  2-175MHz  12V  Po=15W
电特性:Ta=25°Ç
参数名称 参数符号 测试条件 最小值 最大值 单 位
漏源穿击电压 VDSS VGS=0;ID=10mA 40   V
漏源漏电流 IDSS VGS=0;VDS=15v   1 mA
栅源漏电流 IGSS VGS=20;VDS=0v   1 µA
开启电压 VGS(th) ID=100mA;VDS=10v 2 4.5 V
跨  导 gm ID=1.0A;VDS=10v △VGS=1.0V 0.5   S
共源极短路输入电容 Ciss VDS=12V;f=1MHz   50 PF
共源极短路输出电容 Coss VDS=12V;f=1MHz   60 PF
共源极短路反馈电容 Crss VDS=12VV;f=1MHz   12 PF
功率增益 Gp VDD=12V;IDQ=100mA
Pout=15W;f=175MHz
9.5   dB
漏极效率 Dd 60  
失配耐量 VSWR-T   30:1