LT1158 半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器
LT®1158 上的单个输入引脚以一种图腾柱配置来同步地控制两个 N 沟道功率 MOSFET。由于内置了针对贯通电流的独特自适应保护电路，因而免除了对两个 MOSFET 的所有匹配要求。这极大地简化了高效率电动机控制和开关稳压器系统的设计。
LT1158 中的一个连续电流限制环路负责调节上端功率 MOSFET 中的短路电流。允许采用较高的启动电流，只要 MOSFET VDS 不超过 1.2V 即可。通过使 FAULT 故障输出返回至使能输入，LT1158 将在发生故障时自动关断，并在一个内部上拉电流完成对使能电容器的再充电时执行重试操作。
一个片内充电泵在需要的时候接入，以连续接通上端 N 沟道 MOSFET。该器件内置的特殊电路可确保上端栅极驱动器在 PWM 和 DC 操作之间的切换过程中得到安全的保护。当工作于较高的电源电压条件下时，在内部将栅极至源极电压限制为 14.5V。
产品特点 Features
参数 |
应用
典型应用图 |
LT1158 订购信息和价格参考Package Variations and Pricing
| 器件型号 | 封装 | 引脚 | 温度 | 价格 (以 1 ~ 99 片为批量) | 价格 (以 1000 片为批量) * |
| LT1158CN#PBF | PDIP | 16 | C | $3.92 | $3.30 |
| LT1158CSW#PBF | SO | 16 | C | $4.17 | $3.50 |
| LT1158CSW#TRPBF | SO | 16 | C | $3.56 | |
| LT1158IN#PBF | PDIP | 16 | I | $4.50 | $3.75 |
| LT1158ISW#PBF | SO | 16 | I | $4.83 | $4.10 |
| LT1158ISW#TRPBF | SO | 16 | I | $4.16 |
LT1158 数据手册及相关资料下载
- 数据手册(英文) : LT1158 - Half Bridge N-Channel Power MOSFET Driver.PDF
- 应用指南 (英文) : AN52 - linear Technology Magazine Circuit Collection, Volume 1.PDF
- 应用指南 (英文) : AN73 - LT1339 Design Manual.PDF
- 设计要点 (英文) : DN59 - 5V High Current Step-Down Switchers.PDF
- 设计要点 (英文) : DN74 - Techniques for Deriving 3.3V from 5V Supplies.PDF
- 可靠性数据 : R337 Reliability Data .PDF
