LTC4446 高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器
LTC®4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4446 用于顶端栅极驱动器的上拉电路具有 2.5A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.2Ω 的输出阻抗。用于底端栅极驱动器的上拉电路具有 3A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 0.55Ω 的输出阻抗。
LTC4446 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。
LTC4446 包含欠压闭锁电路，用于在器件启动时停用外部 MOSFET。
LTC4446 采用耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装。
LTC4446 不具备自适应贯通保护功能
产品特点 Features
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应用
典型应用图
参数 |
LTC4446 订购信息和价格参考Package Variations and Pricing
| 器件型号 | 封装 | 引脚 | 温度 | 价格 (以 1 ~ 99 片为批量) | 价格 (以 1000 片为批量) * |
| LTC4446EMS8E#PBF | MSOP | 8 | E | $2.42 | $1.69 |
| LTC4446EMS8E#TRPBF | MSOP | 8 | E | $1.75 | |
| LTC4446IMS8E#PBF | MSOP | 8 | I | $2.59 | $1.81 |
| LTC4446IMS8E#TRPBF | MSOP | 8 | I | $1.87 |
LTC4446 数据手册及相关资料下载
- 数据手册 (英文) : LTC4446 - High Voltage High Side / Low Side N-Channel MOSFET Driver.PDF
- 设计要点 (中文) : DN450 - 对于电源故障保护应用，超级电容器能够替代后备电池.PDF
- 设计要点 (中文) : DN485 - 完全利用能量以将超级电容器驾驭应用电路的运行时间延长 40%.PDF
- 可靠性数据 : R419 Reliability Data .PDF
- 产品选型卡 : PowerPath Controllers, Ideal Diodes.PDF
