低实现低C*R=5PF.Ω的新型MOS FET继电器负载电压20V型
接点结构 |
端子种类 |
负载电压 |
型号 |
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1a |
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AC20V峰值 | G3VM-21GR | |
G3VM-21GR(TR) |
项目 |
符号 | 额定 | 单位 | 条件 | |
输入侧 |
LED正向电流 | IF | 50 | mA | |
反复峰值LED正向电流 | IFP | 1 | A | 100μs脉冲、100pps | |
直流正向电流降低比率 | △IF/℃ | -0.5 | mA/℃ | Ta >=25℃ | |
LED反向电流 | VR | 5 | V | ||
粘合部位温度 | TJ | 125 | ℃ | ||
输出侧 |
输出耐压 | VOFF | 20 | V | |
连续负载电流 | IO | 160 | mA | ||
导通电流降低比率 | △ION/℃ | -1.6 | mA/℃ | Ta >=25℃ | |
粘合部位温度 | TJ | 125 | ℃ | ||
输入输出间耐压(注1) |
VI-O | 1500 | Vrms | AC持续1分钟 | |
使用环境温度 |
Ta | -20~+85 | ℃ | 不结冰、凝露 | |
贮藏温度 |
Tstg | -40~+125 | ℃ | 不结冰、凝露 | |
焊接温度条件 |
— | 260 | ℃ | 10s |
项目 |
符号 | 最小 | 标准 | 最大 | 单位 | 条件 | |
输入侧 |
LED正向电压 | VF | 1.0 | 1.15 | 1.3 | V | IF=10mA |
反向电流 | IR | — | — | 10 | μA | VR=5V | |
端子间电容 | CT | — | 15 | — | pF | V=0、f=1MHz | |
触发LED正向电流 | IFT | — | — | 4 | mA | IO=100mA | |
输出侧 |
最大输出导通电阻 | RON | — | 5 | 8 | Ω | IF=5mA、IO=160mA、T<1S |
开路时漏电流 | ILEAK | — | — | 1.0 | μA | VOFF=20V Ta=50℃ | |
端子间电容 | COFF | — | 1.0 | 2.5 | pF | V=0、f=100MHz T<1S | |
输入输出间电容 |
CI-O | — | 0.8 | — | pF | f=1MHz、VS=0V | |
输入输出间电容绝缘电阻 |
RI-O | 1000 | — | — | MΩ | VI-O=500VDC、ROH<=60% | |
动作时间 |
tON | — | — | 1.0 | ms | IF=10mA、RL=200Ω、VDD=20V(注2) | |
回复时间 |
tOFF | — | — | 1.0 | ms |
质量:0.1 g ※标记内容与实际商品有所不同。 |
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安装衬垫尺寸(推荐值) (BOTTOM VIEW) |
端子布置/内部接线图 (TOP VIEW) |