G3VM-21GR1 MOS FET继电器

低实现低C*R=5PF.Ω的新型MOS FET继电器负载电压20V型

欧姆龙MOS FET继电器G3VM-21GR1特点

订购型号

接点结构

端子种类

负载电压

型号

1a
表面安装端子
AC20V峰值 G3VM-21GR1
G3VM-21GR1(TR)

额定值/性能

·绝对最大额定(Ta=25℃)

项目

符号 额定 单位 条件

输入侧

LED正向电流 IF 50 mA  
反复峰值LED正向电流 IFP 1 A 100μs脉冲、100pps
直流正向电流降低比率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta >=25℃
LED反向电流 VR 5 V  
粘合部位温度 TJ 125  

输出侧

输出耐压 VOFF 20 V  
连续负载电流 IO 300 mA  
导通电流降低比率 △ION/℃ -3.0 mA/℃ Ta >=25℃
粘合部位温度 TJ 125  

输入输出间耐压(注1)

VI-O 1500 Vrms AC持续1分钟

使用环境温度

Ta -20~+85 不结冰、凝露

贮藏温度

Tstg -55~+125 不结冰、凝露

焊接温度条件

260 10s
(注1):测量输入输出间的耐压时,分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。
·电气性能(Ta=25℃)

项目

符号 最小 标准 最大 单位 条件

输入侧

LED正向电压 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA
反向电流 IR 10 μA VR=5V
端子间电容 CT 15 pF V=0、f=1MHz
触发LED正向电流 IFT 4 mA IF=5mA、IO=300mA、T<1S

输出侧

最大输出导通电阻 RON 1 1.5 Ω IF=5mA、IO=150mA、
开路时漏电流 ILEAK 1.0 μA VOFF=20V Ta=50℃
端子间的电容 COFF 5.0 12.0 PF V=0、f=100MHz T=1S

输入输出间电容

CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V

输入输出间电容绝缘电阻

RI-O 1000 VI-O=500VDC、ROH<=60%

动作时间

tON 0.5 ms IF=10mA、RL=200Ω、VDD=20V(注2)

回复时间

tOFF 0.5 ms
(注2): 动作· 回复时间

外形尺寸

(单位:mm)
G3VM-21GR

质量:0.54g
※标记内容与实际商品有所不同。

安装衬垫尺寸(推荐值)(BOTTOM VIEW)

安装衬垫尺寸(推荐值)(BOTTOM VIEW)

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