G3VM-351G MOS FET继电器

MOS FET和红外发光二极管进行光结合的高度为2.1mm的薄小平型小外形封装MOS FET继电器

欧姆龙MOS FET继电器型号 G3VM-351G 特点如下

订购型号

形状 接点结构 端子种类 负载电压(最大)* 型号 最小包装单位
每杆装数量 每卷装数量
SOP4 1a 表面安装端子 350V G3VM-351G 100
G3VM-351G(TR) 2,500

* 负载电压(最大):表示峰值AC、DC

额定值

·绝对最大额定(Ta=25℃)
项目 符号 额定 单位 条件
输入侧 LED正向电流 IF 50 mA  
直流正向电流降低比率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta ≥ 25℃
LED反向电流 VR 5 V  
粘合部位温度 TJ 125  
输出侧 负载电压(峰值AC/DC) VOFF 350 V  
连续负载电流(峰值AC/DC) IO 110 mA  
导通电流降低比率 △IO/℃ -1.1 mA/℃ Ta ≥ 25℃
粘合部位温度 TJ 125  
输入输出间耐压(注1) VI-O 1500 Vrms AC持续1分钟
使用环境温度 Ta -40~+85 无结冰、无凝露
贮藏温度 Tstg -55~+125 无结冰、无凝露
焊接温度条件 260 10s

(注1):测量输入输出间的耐压时,分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。

电气性能(Ta=25℃)
项目 符号 最小 标准 最大 单位 条件
输入侧 LED正向电压 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA
反向电流 IR 10 μA VR=5V
端子间电容 CT 30 pF V=0、f=1MHz
触发LED正向电流 IFT 1 3 mA IO=100mA
输出侧 最大输出导通电阻 RON 25 35 Ω IF=5mA、IO=110mA、t<1s
35 50 Ω IF=5mA、IO=110mA
开路时漏电流 ILEAK 1.0 μA VOFF=350V
输入输出间电容 CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V
输入输出间电容绝缘电阻 RI-O 1000 VI-O=500VDC、RoH<=60%
动作时间 tON 0.3 1.0 ms IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V(注2)
复位时间 tOFF 0.1 1.0 ms

注2:IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V 表示动作时间和复位时间

推荐动作条件

为了保证继电器的正确动作和复位,请在以下条件下使用。

项目 符号 最小 标准 最大 单位
负载电压(峰值AC/DC) VDD 280 V
动作LED正向电流 IF 5 7.5 25 mA
连续负载电流(峰值AC/DC) Io 100 mA
动作温度 Ta -20 65

G3VM-351G 外形标记图和 端子内部接线图

G3VM-351G 应用领域

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