G3VM-41GR6 MOS FET继电器
实现C*R=10PF.Ω的新型MOS FET继电器负载电压40V型
欧姆龙MOS FET继电器型号G3VM-41GR6 特点如下
- 重视高频特性的输出端子容量=1PF(标准)
- 开路时漏电流1.0nA(最大)
订购型号
| 封装形式 | 接点结构 | 端子种类 | 负载电压(最大) * | 型号 | 最小包装单位 | |
| SOP4 | 1a | 表面安装端子 |
40V |
G3VM-41GR6 | 每杆装数量 | 每卷装数量 |
| 50 | — | |||||
G3VM-41GR6(TR) |
— | 2,500 | ||||
备注： 负载电压（最大）表示峰值AC、DC
额定值
·绝对最大额定（Ta＝25℃）
| 项目 | 符号 | 额定 | 单位 | 条件 | |
| 输入侧 | LED正向电流 | IF | 50 | mA | |
| 直流正向电流降低比率 | △IF/℃ | -0.5 | mA/℃ | Ta >=25℃ | |
| LED反向电流 | VR | 5 | V | ||
| 粘合部位温度 | TJ | 125 | ℃ | ||
| 输出侧 | 负载电压(峰值AC/DC) | VOFF | 40 | V | |
| 连续负载电流(峰值AC/DC) | IO | 120 | mA | ||
| 导通电流降低比率 | △ION/℃ | -1.2 | mA/℃ | Ta >=25℃ | |
| 粘合部位温度 | TJ | 125 | ℃ | ||
输入输出间耐压(注1) |
VI-O | 1500 | Vrms | AC持续1分钟 | |
| 使用环境温度 | Ta | -20～+85 | ℃ | 无结冰、无凝露 | |
贮藏温度 |
Tstg | -55～+125 | ℃ | 无结冰、无凝露 | |
| 焊接温度条件 | — | 260 | ℃ | 10s | |
注1: 输入输出间耐压表示测量输入输出间的耐压时，分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。
电气性能 Ta＝25℃
| 项目 | 符号 | 最小 | 标准 | 最大 | 单位 | 条件 | |
| 输入侧 | LED正向电压 | VF | 1.0 | 1.15 | 1.3 | V | IF=10mA |
| 反向电流 | IR | — | — | 10 | μA | VR=5V | |
| 端子间电容 | CT | — | 15 | — | pF | V=0、f=1MHz | |
| 触发LED正向电流 | IFT | — | — | 4 | mA | IO=100mA | |
| 输出侧 | 最大输出导通电阻 | RON | — | 10 | 15 | Ω | IF=5mA、IO=120mA、t<1s |
| 开路时漏电流 | ILEAK | — | — | 1.0 | μA | VOFF=30V Ta=50℃ | |
| 端子间的电容 | C0FF | — | 1.0 | 2.0 | PF | V=0、f=100MHz T<1S | |
| 输入输出间电容 | CI-O | — | 0.8 | — | pF | f=1MHz、VS=0V | |
| 输入输出间电容绝缘电阻 | RI-O | 1000 | — | — | MΩ | VI-O=500VDC、ROH<=60% | |
| 动作时间 | tON | — | — | 0.5 | ms | IF=10mA、RL=200Ω、VDD=20V（注2） | |
| 复位时间 | tOFF | — | — | 0.5 | ms | ||
注2:IF=10mA、RL=200Ω、VDD=20V 表示动作时间和复位时间
推荐动作条件
| 项目 | 符号 | 最小 | 标准 | 最大 | 单位 |
| 负载电压(峰值AC/DC) | VDD | -- | -- | 32 | V |
| 动作LED正向电流 | IF | 10 | — | 30 | mA |
| 连续负载电流(峰值AC/DC) | Io | -- | -- | 120 | mA |
| 动作温度 | Ta | 25 | — | 60 | ℃ |
G3VM-41GR6 外形标记图和端子内部接线俯视图
G3VM-41GR6 应用领域
- 半导体检查装置
- 计测仪器
- 宽带
- 数据记录仪器
