G3VM-61B1/G3VM-61E1 MOS FET继电器

最适合应用于模拟信号开关的MOS继电器输出间耐压AC2.5KV,高开关电流

欧姆龙MOS FET继电器型号 G3VM-61B1/G3VM-61E1 特点如下

订购型号

接点结构 端子种类 负载电压 型号 最小包装单位
固定杆装数量 编带包装数量
1a 印刷电路板用端子 AC60V峰值 G3VM-61B1 50 ――
表面安装端子 G3VM-61E1
G3VM-61E1(TR) ―― 1,500

* 负载电压(最大):表示峰值AC、DC

额定值

·绝对最大额定(Ta=25℃)

项目

符号 额定 单位 条件

输入侧

LED正向电流 IF 50 mA  
反复峰值LED正向电流 IFP 1 A 100μs脉冲、100pps
直流正向电流降低比率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta≧25℃
LED反向电流 VR 5 V  
粘合部位温度 TJ 125  

输出侧

输出耐压 VOFF 60 V  
连续负载电流 A连结 IO 500 mA  
B连结
C连结
导通电流降低比率 A连结 △ION/℃ -5 mA/℃ Ta≧25℃
B连结 -5
C连结 -10.0
粘合部位温度 TJ 125  

输入输出间耐压(注1)

VI-O 2500 Vrms AC持续1分钟

使用环境温度

Ta -40~+85 不结冰或冷凝

贮藏温度

Tstg -55~+125 不结冰或冷凝

焊接温度条件

260 10s

(注1): 测量输入输出间的耐压时,分别对LED 针脚、受光侧针脚统一地施加电压

电气性能(Ta=25℃)

项目

符号 最小 标准 最大 单位 条件

输入侧

LED正向电流 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA
反向电流 IR 10 μA VR=5V
端子间电容 CT 30 pF V=0、f=1MHz
触发LED反向电压 IFT 1.6 3 mA IO=500mA

输出侧

最大输出导通电阻 A连结 RON 1 2 Ω IF=5mA、IO=500mA
B连结 IF=5mA、IO=500mA
C连结 IF=5mA 、IO=1000mA
开路时漏电流 ILEAK 1.0 μA VOFF=60V

输入输出间电容

CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V

输入输出间电容绝缘电阻

RI-O 1000 VI-O=500VDC、ROH 60%

动作时间

tON 0.8 2.0 ms IF=5mA 、RL=200Ω、VDD=20V(注2)

回复时间

tOFF 0.1 0.5 ms

注2:IF=5mA 、RL=200Ω、VDD=20V 表示动作时间和复位时间

推荐动作条件

为了保证继电器的正确动作和复位,请在以下条件下使用。

项目 符号 最小 标准 最大 单位
输出耐压 VDD 48 V
动作LED正向电流 IF 5 7.5 25 mA
连续负载电流 Io 500 A
动作温度 Ta -20 65

G3VM-61B1/G3VM-61E1 外形尺寸图

G3VM-61B1 印刷电路板加工尺寸图和 端子内部接线图

G3VM-61E1 安装衬垫尺寸(推荐值)和 端子内部接线图

G3VM-61B1/G3VM-61E1 应用领域

G3VM-61B1/G3VM-61E1 应用技术支持与电子电路设计开发资源下载