G3VM-61BR/G3VM-61ER MOS FET继电器

最适合应用于模拟信号开关的高电容(2.5A)新型MOS FET继电器

欧姆龙MOS FET继电器型号G3VM-61BR/G3VM-61ER 特点如下

订购型号

封装形式 接点结构 端子种类 负载电压(最大)* 型号 最小包装单位
DIP6 1a

印刷电路板用端子

60V

G3VM-61BR

每杆数量 每卷装数量
G3VM-61ER 50
表面安装端子

G3VM-61ER(TR)

1500

* 负载电压(最大):表示峰值AC、DC

额定值

·绝对最大额定(Ta=25℃)
项目 符号 额定 单位 条件
输入侧 LED正向电流 IF 30 mA  
直流正向电流降低比率 △IF/℃ -0.3 mA/℃ Ta >=25℃
LED反向电流 VR 5 V  
粘合部位温度 TJ 125  
输出侧 负载电压(峰值AC/DC) VOFF 60 V  
连续负载电流 IO 2500 mA  
导通电流降低比率 △IO/℃ -22 mA/℃ Ta≥40℃
粘合部位温度 TJ 125  

输入输出间耐压(注1)

VI-O 2500 Vrms AC持续1分钟
使用环境温度 Ta -20~+85 无结冰、无凝露

贮藏温度

Tstg -40~+125 无结冰、无凝露
焊接温度条件 260 10s

注1:输入输出间耐压表示 测量输入输出间的耐压时,分别对LED 针脚、受光侧针脚统一地施加电压 。

电气性能 Ta=25℃
项目 符号 最小 标准 最大 单位 条件
输入侧 LED正向电压 VF 1.18 1.33 1.48 V IF=10mA
反向电流 IR 10 μA VR=5V
端子间电容 CT 70 pF V=0、f=1MHz
触发LED正向电流 IFT 1.0 3 mA IO=1A
输出侧 最大输出导通电阻 RON 0.065 0.1 Ω IF=10mA、IO=2A
开路时漏电流 ILEAK 1.0 10 nA VOFF=60V
输入输出间电容 CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V
输入输出间电容绝缘电阻 RI-O 1000 VI-O=500VDC、ROH<=60%
动作时间 tON 1.0 1.5 ms F=10mA、RL=200Ω、VDD=20V(注2)
复位时间 tOFF 0.2 0.4 ms

注2:F=10mA、RL=200Ω、VDD=20V 表示动作时间和复位时间

推荐动作条件

为了保证继电器的正确动作和复位,请在以下条件下使用。

项目 符号 最小 标准 最大 单位
负载电压(峰值AC/DC) VDD -- -- 48 V
动作LED正向电流 IF 10 7.5 25 mA
连续负载电流(峰值AC/DC) Io -- -- 500 mA
动作温度 Ta 25 60

G3VM-61BR/G3VM-61ER 外形标记图和端子内部接线

G3VM-61BR/G3VM-61ER 应用领域

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