G3VM-S5 MOS FET继电器

高度仅为2.1mm的薄小平型小外形封装的4脚MOS FET继电器

欧姆龙MOS FET继电器型号 G3VM-S5 特点如下

订购型号

接点结构

端子种类

负载电压

型号

1a 表面安装端子 AC200V峰值 G3VM-S5
G3VM-S5(TR)

*负载电压(最大):表示峰值AC、DC

额定值

·绝对最大额定(Ta=25℃)
项目 符号 额定 单位 条件

输入侧

LED正向电流 IF 50 mA  
反复峰值LED 正向电流 IFP 1 A 100µs脉冲、100pps
直流正向电流降低比率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta 25℃
LED反向电流 VR 5 V  
粘合部位温度 TJ 125  

输出侧

输出耐压 VOFF 200 V  
连续负载电流 IO 150 mA  
导通电流降低比率 △ION/℃ -1.5 mA/℃ Ta 25℃
粘合部位温度 TJ 125  
输入输出间耐压(注1) VI-O 1500 Vrms AC持续1分钟
使用环境温度 Ta -40~+85 不结冰、凝露
贮藏温度 Tstg -55~+100 不结冰、凝露
焊接温度条件 260 10s

(注1):测量输入输出间的耐压时,分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。

电气性能(Ta=25℃)
项目 符号 最小 标准 最大 单位 条件

输入侧

LED 正向电压 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA
反向电流 IR 10 µA VR=5V
端子间电容 CT 30 pF V=0、f=1MHz
触发LED正向电流 IFT 1 3 mA IO=150mA

输出侧

最大输出导通电阻 RON 5 8 Ω IF=5mA、IO=150mA
开路时漏电流 ILEAK 1.0 µA VOFF=200V
输入输出间电容 CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V
输入输出间电容绝缘电阻 RI-O 1000 VI-O=500VDC、ROH60%
动作时间 tON 0.6 1.5 ms IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V(注2)
回复时间 tOFF 0.1 1.0 ms

注2:IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V 表示动作时间和复位时间

推荐动作条件

为了保证继电器的正确动作和复位,请在以下条件下使用。

项目 符号 最小 标准 最大 单位
输出耐压 VDD 150 200 V
动作LED正向电流 IF 5 7.5 25 mA
连续负载电流 Io - 120 mA
动作温度 Ta -20 - 65

G3VM-S5 外形尺寸图

G3VM-S5 安装衬垫图和端子内部接线图

G3VM-S5 应用领域

G3VM-S5 应用技术支持与电子电路设计开发资源下载