NDD04N60Z:Power MOSFET 600V 4.1A 2 Ohm Single N-Channel DPAK/IPAK

Power MOSFET 600V 2 Ohm Single N-Channel

技术特性
  • Low ON Resistance
  • Low Gate Charge
  • ESD Diode−Protected Gate
  • 100% Avalanche Tested
  • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
    Compliant
应用
  • Adapter (Notebook, Printer, Gaming)
  • LCD Panel Power
  • Lighting Ballasts
终端产品
  • SMPS
  • Lighting Ballast
封装图 PACKAGE DIMENSIONS

NDD04N60Z封装图

订购信息 Ordering Information
产品 状况 Compliance 具体说明 封装 MSL* 容器 预算价格 (1千个数量的单价)
类型 外形 类型 数量
NDD04N60Z-1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 600V 4.1A 2 Ohm Single N-Channel DPAK/IPAK IPAK-4 369D Tube 75 $0.3267
NDD04N60ZT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 600V 4.1A 2 Ohm Single N-Channel DPAK/IPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.3267
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概述 文档编号/大小 版本
Power MOSFET 600V 4.1A 2 Ohm Single N-Channel DPAK/IPAK NDD04N60Z/D (94.0kB) 2