NTTFS4985NF:Power MOSFET 30V 64A 5.2 mOhm Single N-Channel u8FL with Schottky Diode

技术特性
  • Integrated Schottky Diode
  • Low RDS(on)to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
封装图 PACKAGE DIMENSIONS

NTTFS4985NF封装图

评估板信息
评估板 状况 无铅(Pb-free) 简短说明
ONS321A5VGEVB Active Pb-free FET EVAL BD W 5V VGS DR
ONS321B12VGEVB Active Pb-free FET EVAL BD W 12V VGS DR
订购信息 Ordering Information
产品 状况 Compliance 具体说明 封装 MSL* 容器 预算价格 (1千个数量的单价)
类型 外形 类型 数量
NTTFS4985NFTAG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 64A 5.2 mOhm Single N-Channel u8FL with Schottky Diode u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 1500 $0.5287
NTTFS4985NFTWG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 64A 5.2 mOhm Single N-Channel u8FL with Schottky Diode u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 5000 $0.5287
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概述 文档编号/大小 版本
Power MOSFET 30V 64A 5.2 mOhm Single N-Channel u8FL with Schottky Diode NTTFS4985NF/D (94.0kB) 2