首页 > SAMSUNG 三星 > SRAM 存储器 > QDR I/II/II+

K7R321884C

• Part number 型号：K7R321884C
• Density 存储容量：36M bit
• Organization 结构：2Mx18
• VDD 正电源输入：1.8(V)
• Access Time-tCD 存取时间：0.45(ns)
• Cycle time 周期时间：333,300,250(MHz)
• I/O Voltage 输入输出电压：1.5,1.8(V)
• Package 封装形式：165FBGA

K7R321884C 订购型号：

订购型号	Density	Organization	VDD(V)	Access Time-tCD(ns)	Cycle time(MHz)	I/O Voltage(V)	Package
K7R321884C-EC25	32M	2Mx18	1.8V	0.45	333,300,250	1.5,1.8	165FBGA
K7R321884C-EC250	32M	2Mx18	1.8V	0.45	333,300,250	1.5,1.8	165FBGA
K7R321884C-FC25	32M	2Mx18	1.8V	0.45	333,300,250	1.5,1.8	165FBGA
K7R321884C-FC250	32M	2Mx18	1.8V	0.45	333,300,250	1.5,1.8	165FBGA
K7R321884C-FC25T	32M	2Mx18	1.8V	0.45	333,300,250	1.5,1.8	165FBGA
K7R321884C-FC30	32M	2Mx18	1.8V	0.45	333,300,250	1.5,1.8	165FBGA
K7R321884C-FC300	32M	2Mx18	1.8V	0.45	333,300,250	1.5,1.8	165FBGA
K7R321884C-FC33	32M	2Mx18	1.8V	0.45	333,300,250	1.5,1.8	165FBGA
K7R321884C-FC330	32M	2Mx18	1.8V	0.45	333,300,250	1.5,1.8	165FBGA

K7R321884C 技术支持与电子电路设计开发资源下载

• K7R321884C 数据手册DataSheet下载.pdf