2SD2012 NPN SILICON POWER TRANSISTOR

The 2SD2012 is a silicon NPN power transistor housed in TO-220F insulated package.

It is inteded for power linear and switching applications

技术特性
  • HIGH DC CURRENT GAIN
  • LOW SATURATION VOLTAGE
  • INSULATED PACKAGE FOR EASY MOUNTING
应用领域
  • GENERAL PURPOSE POWER AMPLIFIERS
  • GENERAL PURPOSE SWITCHING
内部原理图
2SD2012 功能框图
2SD2012 订购信息
订购型号 产品状态 美金价格 数量 封装 包装形式 温度范围 材料声明
2SD2012 NRND   1000 TO-220FP Tube   2SD2012
DATASHEET
描述 版本 大小
2SD2012 :NPN silicon power transistor 1 127KB