The device is manufactured in planar technology with “base island” layout. The resulting transistor shows high gain performance coupled with low saturation voltage
技术特性
应用领域
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内部原理图 |
订购型号 | 产品状态 | 美金价格 | 数量 | 封装 | 包装形式 | 温度范围 | 材料声明 |
2ST31A | Active | 1000 | TO-220AB | Tube | 2ST31A |
描述 | 版本 | 大小 |
2ST31A :Low voltage NPN power transistor | 2 | 372KB |