LET9120M RF power transistor from the LdmoST family of n-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

The LET9120M is a common source n-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1.0 GHz.

技术特性
  • Excellent thermal stability
  • Common source configuration push-pull
  • POUT = 120 W with 18 dB gain @ 860 MHz
  • Internal input matching
  • BeO-free package
引脚输出
LET9120M 功能框图
LET9120M 订购信息
订购型号 产品状态 美金价格 数量 封装 包装形式 温度范围 材料声明
LET9120M Preview   1000 M252 Loose Piece   LET9120M
DATASHEET
描述 版本 大小
LET9120M :RF power transistor from the LdmoST family of n-channel enhancement-mode lateral MOSFETs 2 134KB
APPLICATION NOTES
描述 版本 大小
AN1294: PowerSO-10RF: the first true RF power SMD package 3 1021KB
PRODUCT PRESENTATIONS
描述 版本 大小
LET series: The new LDMOS series for applications from 1 MHz to 2 GHz 1.0.0 320KB
SW FUNCTIONS
描述 版本 大小
Mismatch analysis EDA tool 1.0.0 1585KB
FLYERS
描述 版本 大小
FLLET1011 : LET series: latest LDMOS series for applications from 1 MHz to 2 GHz 1.0 618KB