STD10P6F6 P-channel 60 V, 0.15 Ohm typ., 10 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in DPAK package

These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on)in all packages

技术特性

RDS(on)* Qgindustry benchmark
Extremely low on-resistance RDS(on)
High avalanche ruggedness
Low gate drive power losses

应用领域

Switching application

内部原理图

STD10P6F6 订购信息

订购型号	产品状态	美金价格	数量	封装	包装形式	温度范围	材料声明
STD10P6F6	Active		1000	DPAK	Tape And Reel		STD10P6F6

DATASHEET

描述	版本	大小
STD10P6F6 :DS8964: P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages	2	486KB

APPLICATION NOTES

描述	版本	大小
AN1703: Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages	1	760KB