STX112 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR

The devices are manufactured in planar technology with "base island" layout and monolithic Darlington configuration

技术特性
  • Good hFE linearity
  • High fT frequency
  • Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
应用领域
  • Linear and switching industrial equipment
内部原理图
STX112 功能框图
STX112 订购信息
订购型号 产品状态 美金价格 数量 封装 包装形式 温度范围 材料声明
STX112-AP NRND   1000 TO-92 Tape And Reel   STX112-AP
DATASHEET
描述 版本 大小
STX112 :Complementary power Darlington transistors 4 339KB