特点- 极低噪声系数
- 高增益
- 高 IIP3 和 IP1dB
- 先进的 GaAs E-pHEMT 工艺
- 外部元件数量少
- 可通过单独的外部电阻/电压调节偏置电流
- 兼容 CMOS 的关机脚位 (SD)
Applications- 适合 GPS、蜂窝、PCS、UMTS、WLAN、WiMAX、LTE 应用
| | Specification | Value |
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| Lifecycle | Active | | Distrib. Inventory | No | | Samples Available | Yes | | RoHS6 Compliant | Y | | Max Qty of Samples | 5 | | OIP3 (dBm) | | | Frequency Range (GHz) | 1.575 | | Frequency (GHz) | 1.575 | | Bias Condition (V@mA) | 2.7V@3.3mA | | NF (dB) | 0.97 | | Gain (dB) | 17.9 | | IP1dB (dBm) | -9.7 | | IIP3 (dBm) | -2 | | Package | |
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