特点- 极低噪声系数
- 外部元件数量少
- 出色的手机/DCS/PCS/WLAN 频带抑制能力
- 先进的 GaAs E-pHEMT 和 FBAR 技术
- 可通过单独的外部电阻/电压调节电流
- 符合 MSL3 无铅和无卤素材料要求
- 兼容 CMOS 的关机脚位 (SD)
Applications | | Specification | Value |
|---|
| Lifecycle | Not Recommended for New Design | | Distrib. Inventory | No | | Samples Available | No | | RoHS6 Compliant | Y | | Frequency Range (GHz) | 1.575 | | Frequency (GHz) | 1.575 | | Gain (dB) | 14.2 | | IP1dB (dBm) | 2 | | Package | SMT 3X2 |
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