特点- 高线性和 P1dB
- 各种负载条件下保持无条件稳定
- 内置提供温度补偿的内部偏置电路
- 采用预匹配方案——仅需简单匹配
- GaAs E-pHEMT 技术[1]
- 标准 QFN 3X3 封装
- 5V 电源电压
- 产品规格整齐划一
- 卷带式封装可供选择
- 符合 MSL-1 级无铅标准
- 在 120°C 通道温度下，平均无故障时间 (MTTF) 长于 300 年。
Applications- 用于 GSM/PCS/W-CDMA/WiMAX 基站的 A 级驱动放大器。
- 通用增益模块。
| | Specification | Value |
|---|
| Lifecycle | Active | | RoHS6 Compliant | Y | | Distrib. Inventory | Yes | | Samples Available | Yes | | Max Qty of Samples | 5 | | Frequency (GHz) | 2.0 | | Bias Condition (V@mA) | 5/206 | | NF (dB) | 2.8 | | Gain (dB) | 14.2 | | OIP3 (dBm) | 45.3 | | Package | QFN 3x3 |
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