MLN 系列 - 多线路瞬态电压浪涌抑制器

数据手册DataSheet 下载:Varistors MLN Datasheet

MLN浪涌阵列抑制器设计用于保护组件免受电路板瞬态电压的损坏。 为减少产品数量、缩短布局时间以及节省印刷电路板空间,该装置在单个“1206”无引线芯片中安装了四个独立抑制器。

此类浪涌阵列装置可抑制静电放电、电快速瞬变及其他瞬变,以保护在不超过18伏直流电压下工作的集成电路或其他敏感元件。 浪涌阵列装置的额定值符合IEC 6100-4-2人体模式静电放电标准,有助于产品达到电磁兼容性标准。 该阵列具有优越的绝缘性能,截面间的串音干扰极小。

浪涌阵列抑制器的固有电容使其具备了过滤器/抑制器功能,因而可代替独立齐纳/电容器组合。

MLN阵列采用Littelfuse多层技术工艺制造,与Littelfuse ML和MLE系列分散式无引线芯片类似。

MLN还可提供双线路型号。 请联系Littelfuse,了解详细信息。


功能与特色:
  • 符合RoHS标准 
  • 一个芯片上装有四个独立器件 
  • ESD额定值符合IEC 61000-4-2规定(4级)
  • 具备交流特点的阻抗和电容
  • 相邻信道串扰低 - 在10MHz(典型值)时为55dB
  • 低泄漏电流
  • 工作电压最高达18VM(DC)
  • -工作温度范围在55ºC至125ºC之间
  • 尺寸小巧,兼容PCMCIA
Ordering 订购信息
产品号线路ESD15kVPeak8kV箝位电压(V)ESD8kVPeakILMaxItm1xMSL标准电容(pF)尺寸Vc (V)
V14MLN4120648555110100301401206 (3216)30
V18MLN41206410063165100301001206 (3216)40
V18MLN41206L41309520010030451206 (3216)50
V5.5MLN412064453560100304301206 (3216)15.5
V9MLN412064755095100302501206 (3216)23
设计资源
环保信息
Varistors MLN Datasheet mln
Dongguan BeiCe ISO TS16949 ra
Dongguan BeiCe ISO 14001 2004 ra
Dongguan BeiCe ISO 9001 2000 ra
Littelfuse ML Multilayer Surface Mount Surge Suppressors Application Note mln
Soldering Recommendations for Surface Mount and Multilayer Metal Oxide Varistors Application note mln
The ABCs of Littelfuse Multilayer Suppressors Application Note mln
AN9768 Transient Suppression Devices and Principles ra
AN9769 An Overview of Electromagnetic and Lightning Induced Voltage Transients ra
EC611 Circuit Protection for Lithium Ion and Lithium Polymer Rechargeable Battery Applications mln
Why does USB 2.0 need Circuit Protection Application Note mln
Product Selection Guide ra
Circuit Protection Technology Application Matrix ra
Varistors Catalog ra
ICPTest_MLN_Series pdf mln
ICP_Test_Report_for_MLN_Series_11 23 2013 pdf mln