初始精度和温度系数均进行激光调整，因而在整个温度范围内的误差极低，且无需使用外部器件。在−55°C至+125°C范围内，AD587U保证最大总误差为±14 mV。 可选的精密调整连接，专为要求更高精度的应用而设计。 借助采用工业标准引脚排列的10 V基准电压源，现有系统可立即完成升级。 极低输出噪声。AD587输出噪声典型值为4 μV峰峰值。同时提供降噪引脚，以利用外部电容进一步对噪声进行滤波。 提供符合MIL-STD-883标准的版本。欲了解详细规格特性，请参考 ADI军用和航空航天产品参考手册
AD587代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整，从而能够以较低的成本提供出色的性能。
AD587的性能明显高于大多数其它10 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列，因此许多系统都可以利用AD587迅速完成升级。
基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法，使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚，可进一步降低嵌入式齐纳二极管产生的噪声电平。
AD587推荐用作需要外部精密基准电压源的8位、10位、12位、14位或16位DAC的基准电压源。该器件也非常适合最高14位精度的逐次逼近型或集成式ADC，而且其性能通常优于标准片内基准电压源。
AD587J和AD587K的额定工作温度范围为0°C至70°C，AD587U则为−55°C至+125°C。AD587JQ和AD587UQ提供8引脚CERDIP封装，其它型号提供8引脚SOIC封装（适合表贴应用）或8引脚PDIP封装。
数据手册, Rev. H, 9/07
产品特点和性能优势
| 线性产品AD587 SPICE Macro-Model
|
| 文档 | 备注 |
| AD587: High Precision 10 V Reference Data Sheet (Rev. H) | PDF 354 kB |
| AD587: Military Data Sheet |
| 文档 | 备注 |
| AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0) | PDF 237 kB |
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 5962-8982502PA 量产 | 8 ld CerDIP | OTH 48 | -55 至 125至 | 17.6 | 15.59 | N |
| 5962-8982503PA 量产 | 8 ld CerDIP | OTH 48 | -55 至 125至 | 23.12 | 22.05 | N |
| AD587JNZ 量产 | 8 ld PDIP | OTH 50 | 0 至 70至 | 5.09 | 4.31 | Y |
| AD587JQ 量产 | 8 ld CerDIP | OTH 48 | 0 至 70至 | 6.86 | 5.79 | N |
| AD587JRZ 量产 | 8 ld SOIC | OTH 98 | 0 至 70至 | 3.56 | 3.01 | Y |
| AD587JRZ-REEL 量产 | 8 ld SOIC | REEL 2500 | 0 至 70至 | 0 | 3.01 | Y |
| AD587JRZ-REEL7 量产 | 8 ld SOIC | REEL 1000 | 0 至 70至 | 0 | 3.01 | Y |
| AD587KNZ 量产 | 8 ld PDIP | OTH 50 | 0 至 70至 | 6.61 | 5.59 | Y |
| AD587KRZ 量产 | 8 ld SOIC | OTH 98 | 0 至 70至 | 4.04 | 3.44 | Y |
| AD587KRZ-REEL 量产 | 8 ld SOIC | REEL 2500 | 0 至 70至 | 0 | 3.44 | Y |
| AD587KRZ-REEL7 量产 | 8 ld SOIC | REEL 1000 | 0 至 70至 | 0 | 3.44 | Y |
| AD587UQ 量产 | 8 ld CerDIP | OTH 48 | -55 至 125至 | 15.89 | 13.53 | N |
