ADG1233 低电容, ±15 V/12 V iCMOS™ 、三通道单刀双掷开关

产品特色 1.5 pF关断电容（电源电压：±15 V）。电荷注入：0.5 pC。 3 V逻辑兼容数字输入，VIH = 2.0 V，VIL = 0.8 V。 6引脚TSSOP、20引脚TSSOP和4 mm × 4 mm LFCSP封装。应用

ADG1233和ADG1234均为单芯片iCMOS®模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷SPDT开关。

所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。该器件提供overbar: EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。

iCMOS （工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。

与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。

这些多路复用器具有超低电容和电荷注入特性，因而是要求低突波和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。

较快的开关速度及高信号带宽，使这些器件适合视频信号切换应用。iCMOS结构可确保功耗极低，因而这些器件非常适合便携式电池供电仪表。

1.5 pF 关断电容

0.5 pC电荷注入

电源电压范围：33 V

导通电阻：120 Ω

额定电源电压：±15 V/+12 V

3 V 逻辑兼容输入

轨到轨工作

先开后合式开关动作

16引脚和20引脚TSSOP、4 mm × 4 mm LFCSP封装

典型功耗：<0.03 μW

文档	备注
ADG1233/ADG1234: Low Capacitance, Triple/Quad SPDT ±15 V/+12 V iCMOS Switches Data Sheet (Rev. D)	PDF 439.09 K

文档	备注
AN-874: 在±5V电源下使用ADG12xx系列器件及其性能影响 (Rev. 0)	PDF 206 kB
AN-874: Operating the ADG12xx Series of Parts with 5 V Supplies and the Impact on Performance (Rev. 0)	PDF 206 kB

文档	备注
UG-945: Evaluation Board for 16-Lead TSSOP Devices in the Switches and Multiplexers Portfolio (Rev. 0)	PDF 291.91 K

订购信息

产品型号	封装	包装数量	温度范围	美金报价 100-499	美金报价 1000+	RoHS
ADG1233YCPZ-REEL7 量产	16 ld LFCSP (4x4mm, 2.1mm exposed pad)	REEL 1500	-40 至 125至	0	2.3	Y
ADG1233YRUZ 量产	16 ld TSSOP	OTH 96	-40 至 125至	2.8	2.3	Y
ADG1233YRUZ-REEL7 量产	16 ld TSSOP	REEL 1000	-40 至 125至	0	2.3	Y