ADG333A 四通道单刀双掷开关

扩展的信号范围。ADG333A采用增强型LC2MOS工艺制造,加大的信号范围可扩展至电源电压范围。 低功耗。 低导通电阻RON。 单电源供电。对于单极性模拟信号应用,ADG333A可以采用单轨电源供电。该器件采用12 V单电源供电。

ADG333A是一款单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,内置四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。它采用线性兼容CMOS (LC2MOS)工艺设计,具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。

导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦,可确保开关音频信号时拥有良好的线性度和低失真性能。同时高开关速度使该器件适合视频信号切换应用。CMOS结构可确保功耗极低,因而该器件非常适合便携式电池供电仪表。

当这些开关接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下,达到电源电压的信号电平被阻止。所有开关均为先开后合式,适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性。

产品特色
  • 扩展的信号范围。ADG333A采用增强型LC2MOS工艺制造,加大的信号范围可扩展至电源电压范围。
  • 低功耗。
  • 低导通电阻RON。
  • 单电源供电。对于单极性模拟信号应用,ADG333A可以采用单轨电源供电。该器件采用12 V单电源供电。
应用
  • 音频和视频开关
  • 电池供电系统
  • 测试设备
  • 通信系统
产品特点和性能优势
  • 最大额定电源电压:44 V
  • 模拟信号范围:VSS至 VDD
  • 低导通电阻:45 Ω最大值
  • 低导通电阻差(ΔRon):5 Ω最大值
  • 低导通电阻匹配:4 Ω最大值
  • 低功耗
  • 快速开关时间
    • 接通时间:<175 ns
    • 断开时间:<145 ns
  • 接通时间:<175 ns
  • 断开时间:<145 ns
  • 低泄漏电流:5 nA(最大值)
  • 低电荷注入:10 pC(最大值)
  • 先开后合式开关动作
  • 开关和多路复用器
    数据手册
    文档备注
    ADG333A: Quad SPDT Switch Data Sheet (Rev. B)PDF 240.11 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-355: Behind the Switch SymbolPDF 132 kB
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    ADG333ABNZ 量产20 ld PDIPOTH 18-40 至 85至3.693.12Y
    ADG333ABR 量产20 ld SOIC - WideOTH 37-40 至 85至3.753.19N
    ADG333ABR-REEL 量产20 ld SOIC - WideREEL 1000-40 至 85至03.19N
    ADG333ABRS 量产20 ld SSOPOTH 66-40 至 85至3.753.19N
    ADG333ABRS-REEL 量产20 ld SSOPREEL 1500-40 至 85至00N
    ADG333ABRSZ 量产20 ld SSOPOTH 66-40 至 85至3.252.76Y
    ADG333ABRSZ-REEL 量产20 ld SSOPREEL 1500-40 至 85至02.76Y
    ADG333ABRZ 量产20 ld SOIC - WideOTH 37-40 至 85至3.252.76Y
    ADG333ABRZ-REEL 量产20 ld SOIC - WideREEL 1000-40 至 85至02.76Y
    参考资料
    ADG333A: Quad SPDT Switch Data Sheet (Rev. B) adg333a
    AN-355: Behind the Switch Symbol adg438f
    Switches and Multiplexers Product Selection Guide adg2128
    CMOS Switches Offer High Performance in Low Power, Wideband Applications ad75019