ADG636 1 PC电荷注入、100 PA泄露、CMOS、±5 V/+5 V/+3 V双通道单刀双掷开关

ADG636是一款单芯片器件,内置两个独立可选的CMOS单刀双掷(SPDT)开关。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同。

ADG636采用±2.7 V至±5.5 V双电源或+2.7 V至+5.5 V单电源供电。

此开关在整个信号范围内具有±1.5 pC的超低电荷注入,25°C时的典型漏电流为10 pA。此外,它的典型导通电阻为85 Ω,两个通道间的匹配在2 Ω以内。它还具有低功耗和高开关速度特性。

ADG636为先开后合式开关,采用14引脚TSSOP封装。

产品聚焦 1. 超低电荷注入。QINJ:±1.5 pC(典型值,整个信号范围) 2. 漏电流<0.25 nA(最大值,85ºC) 3. 双电源(±2.7 V至±5 V)或单电源(+2.7 V至+5.5 V)供电 4. 汽车应用温度范围:−40°C至+125°C 5. 小型14引脚TSSOP封装

应用 - 自动测试设备 - 数据采集系统 - 电池供电仪表 - 通信系统 - 采样保持系统 - 远程供电设备 - 音频和视频信号路由 - 继电器替代方案 - 航空电子

产品特点和性能优势
  • 1 pC 电荷注入
  • ±2.7 V至±5.5 V双电源供电
  • +2.7 V至+5.5 V单电源供电
  • 汽车应用温度范围:
    –40°C 至 +125°C
  • 100 pA(最大值,25°C)漏电流
  • 导通电阻:85 Ω典型值
  • 轨到轨工作
  • 快速开关时间
  • 典型功耗:<0.1 μW
  • TTL/CMOS兼容型输入
  • 14引脚TSSOP封装
  • 开关和多路复用器
    数据手册
    文档备注
    ADG636: 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS ±5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch Data Sheet (Rev. B)PDF 149 kB
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    ADG636YRU-REEL 量产14 ld TSSOPREEL 2500-40 至 125至00N
    ADG636YRUZ 量产14 ld TSSOPOTH 96-40 至 125至2.181.84Y
    ADG636YRUZ-REEL 量产14 ld TSSOPREEL 2500-40 至 125至01.84Y
    ADG636YRUZ-REEL7 量产14 ld TSSOPREEL 1000-40 至 125至01.84Y
    参考资料
    ADG636: 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS ±5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch Data Sheet (Rev. B) adg636
    Switches and Multiplexers Product Selection Guide adg2128
    CMOS Switches Offer High Performance in Low Power, Wideband Applications ad75019