ADL5521是一款高性能GaAs pHEMT低噪声放大器。它提供高增益与低噪声系数,适合于单一下变频IF采样接收机架构与直接下变频接收机。
高集成度的ADL5521内置有源偏置与隔直电容,非常易于使用,并且不会牺牲设计灵活性。
ADL5521仅需少量外部器件即可调谐。这款器件的工作电压范围为3 V~5 V,源电流可以通过外部偏置电阻进行调节,以适应低功耗应用的需求。
ADL5521采用紧凑散热增强型3 mm × 3 mm LFCSP封装,工作温度范围为-40°C~+85°C。
还可提供完全组装的评估板。
Data Sheet, Rev 0, 10/2008
产品特点和性能优势 | 射频和微波S参数
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文档 | 备注 |
ADL5521: 400 MHz to 4000 MHz Low Noise Amplifier Data Sheet (Rev. B) | PDF 915 kB |
文档 | 备注 |
产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
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ADL5521ACPZ-R7 量产 | 8 ld LFCSP (3x3mm) | REEL 1500 | -40 至 85至 | 0 | 1.49 | Y |
产品型号 | 描述 | 美金报价 | RoHS |
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ADL5521-EVALZ | Evaluation Board | 100.19 | Y |
AD-TRXBOOST1-EBZ | Evaluation Board | 249 | Y |