ADL5523是一款高性能的GaAs pHEMT低噪声放大器,可以为单一下变频转换IF采样接收机架构和直接下变频转换接收机提供高增益和低噪声系数。
该器件具有高集成度,内置有源偏置电路和隔直电容,不仅非常易于使用,而且不会影响设计灵活性。
ADL5523只需极少外部元件,便可轻松进行调整。该器件可在3 V至5 V电压下工作,并可通过外部偏置电阻调整电流吸取,从而满足要求极低功耗的应用需求。
ADL5523采用紧凑的散热增强型3 mm × 3 mm LFCSP封装,工作温度范围为−40°C至+85°C。
同时还提供配置齐全的评估板。
产品特点和性能优势 | 射频和微波S参数
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文档 | 备注 |
ADL5523: 400 MHz to 4000 MHz Low Noise Amplifier Data Sheet (Rev. B) | PDF 357 kB |
文档 | 备注 |
产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
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ADL5523ACPZ-R7 量产 | 8 ld LFCSP (3x3mm) | REEL 1500 | -40 至 85至 | 0 | 1.49 | Y |
产品型号 | 描述 | 美金报价 | RoHS |
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ADL5523-EVALZ | Evaluation Board | 100.19 | Y |