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ADR291和ADR292均为低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET®基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，全新的XFET架构在性能方面有明显改进。具体包括：工作电流相同时，电压噪声输出仅为带隙基准电压源的1/4；极低的超线性温度漂移；低热滞特性；以及出色的长期稳定性。
ADR291/ADR292系列基准电压源可提供稳定、精确的输出电压，ADR291的电源电压可低至2.8 V。ADR291和ADR292的输出电压分别为2.5 V和4.096 V。
静态电流仅为12 μA，因此这些器件是电池供电仪器仪表的理想选择。ADR291和ARD292各提供三种电气等级产品，其初始输出精度分别为±2 mV、±3 mV、±6 mV（最大值，ADR291），以及±3 mV、±4 mV、±6 mV（最大值，ADR292）。三种等级产品的温度系数分别为8 ppm/°C、15 ppm/°C和25 ppm/°C（最大值）。电压调整率和负载调整率分别为30 ppm/V和30 ppm/mA（典型值），有利于保持基准电压源的整体高性能水平。如需5.0 V输出器件，请参考ADR293数据手册。
ADR291和ADR292的额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围，提供8引脚SOIC、8引脚TSSOP和3引脚TO-92三种封装。
产品特点和性能优势
| 线性产品 |
| 文档 | 备注 |
| ADR291/ADR292: Low Noise Micropower 2.5 V and 4.096 V Precision Voltage References Data Sheet (Rev. F) | PDF 466 kB |
| 文档 | 备注 |
| AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0) | PDF 237 kB |
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ADR292ERZ 量产 | 8 ld SOIC | OTH 98 | -40 至 125至 | 6.7 | 6.11 | Y |
| ADR292ERZ-REEL 量产 | 8 ld SOIC | REEL 2500 | -40 至 125至 | 0 | 6.11 | Y |
| ADR292FRZ 量产 | 8 ld SOIC | OTH 98 | -40 至 125至 | 5.28 | 2.76 | Y |
| ADR292FRZ-REEL7 量产 | 8 ld SOIC | REEL 1000 | -40 至 125至 | 0 | 2.76 | Y |
| ADR292GRUZ 量产 | 8 ld TSSOP | OTH 96 | -40 至 125至 | 2.78 | 2.56 | Y |
| ADR292GRUZ-REEL7 量产 | 8 ld TSSOP | REEL 1000 | -40 至 125至 | 0 | 2.56 | Y |
| ADR292GRZ 量产 | 8 ld SOIC | OTH 98 | -40 至 125至 | 2.32 | 2.09 | Y |
| ADR292GRZ-REEL7 量产 | 8 ld SOIC | REEL 1000 | -40 至 125至 | 0 | 2.09 | Y |
