ADR421 超精密、低噪声、2.500 V XFET®基准电压源
ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。
精密数据采集系统
高分辨率转换器
电池供电仪器仪表
便携式医疗仪器
工业过程控制系统
精密仪器
光纤网络控制电路
利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。
ADR42x具有出色的噪声性能、稳定性和精度，非常适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚，在±0.5%范围内调整输出电压，其它性能则不受影响。ADR42x系列分为两种电气等级，额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围，提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装（后者比前者小30%）。
数据手册, Rev. H, 6/07
产品特点和性能优势- 低噪声（0.1 Hz至10 Hz）
ADR420: 1.75 μV峰峰值
ADR421: 1.75 μV 峰峰值
ADR423: 2.0 μV 峰峰值
ADR425: 3.4 μV 峰峰值 - 低温度系数：3 ppm/°C
- 长期稳定性：50 ppm/1000小时
- 负载调整率：70 ppm/mA
- 电压调整率：35 ppm/V
- 低迟滞：40 ppm（典型值）
- 宽工作电压范围
ADR420: 4 V至18 V
ADR421: 4.5 V 至18 V
ADR423: 5 V 至 18 V
ADR425: 7 V 至18 V - 静态电流：0.5 mA（最大值）
- 高输出电流：10 mA
- 宽温度范围：−40°C至+125°C
| 参考电路 |
数据手册
应用笔记
产品聚焦
订购信息
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
|---|
| ADR421ARMZ 量产 | 8 ld MSOP | OTH 50 | -40 至 125至 | 3.19 | 2.88 | Y |
| ADR421ARMZ-REEL7 量产 | 8 ld MSOP | REEL 1000 | -40 至 125至 | 0 | 2.88 | Y |
| ADR421ARZ 量产 | 8 ld SOIC | OTH 98 | -40 至 125至 | 3.19 | 2.88 | Y |
| ADR421ARZ-REEL7 量产 | 8 ld SOIC | REEL 1000 | -40 至 125至 | 0 | 2.88 | Y |
| ADR421BR 量产 | 8 ld SOIC | OTH 98 | -40 至 125至 | 6 | 5.04 | N |
| ADR421BR-REEL7 量产 | 8 ld SOIC | REEL 1000 | -40 至 125至 | 0 | 5.04 | N |
| ADR421BRZ 量产 | 8 ld SOIC | OTH 98 | -40 至 125至 | 5.27 | 4.43 | Y |
| ADR421BRZ-REEL7 量产 | 8 ld SOIC | REEL 1000 | -40 至 125至 | 0 | 4.43 | Y |
评估板
| 产品型号 | 描述 | 美金报价 | RoHS |
|---|
| EVAL-AD7606-4SDZ | Evaluation Board | 65 | Y |
| EVAL-AD7606-6SDZ | Evaluation Board | -1 | Y |
| EVAL-AD7606SDZ | Evaluation Board | 65 | Y |
| EVAL-AD7607SDZ | Evaluation Board | 65 | Y |
| EVAL-AD7608SDZ | Evaluation Board | 65 | Y |
| EVAL-SDP-CB1Z | Evaluation Controller Board | 99 | Y |
参考资料
