ADR423 超精密、低噪声、3.00 V XFET®基准电压源

ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源,具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性,采用SOIC和MSOP封装。                                           精密数据采集系统 高分辨率转换器 电池供电仪器仪表 便携式医疗仪器 工业过程控制系统 精密仪器 光纤网络控制电路

利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术,可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比,还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。

ADR42x具有出色的噪声性能、稳定性和精度,非常适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚,在±0.5%范围内调整输出电压,其它性能则不受影响。ADR42x系列分为两种电气等级,额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围,提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装(后者比前者小30%)。

数据手册, Rev. H, 6/07

产品特点和性能优势
  • 提供中文数据手册
  • 低噪声(0.1 Hz至10 Hz)
    ADR420: 1.75 μV 峰峰值
    ADR421: 1.75 μV 峰峰值
    ADR423: 2.0 μV峰峰值
    ADR425: 3.4 μV峰峰值
  • 低温度系数:3 ppm/°C
  • 长期稳定性:50 ppm/1000小时
  • 负载调整率:70 ppm/mA
  • 电压调整率:35 ppm/V
  • 低迟滞:40 ppm(典型值)
  • 宽工作电压范围
    ADR420: 4 V至18 V
    ADR421: 4.5 V 至 18 V
    ADR423: 5 V 至 18 V
    ADR425: 7 V 至18 V
  • 静态电流:0.5 mA(最大值)
  • 高输出电流:10 mA
  • 宽温度范围:−40°C至+125°C
线性产品
数据手册
文档备注
ADR420/ADR421/ADR423/ADR425:高精度、低噪声、2.048 V/2.500 V/3.00 V/5.00 V XFET®基准电压源 数据手册 (Rev. H)PDF 632 kB
ADR420/ADR421/ADR423/ADR425: Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References Data Sheet (Rev. J)PDF 544 kB
应用笔记
文档备注
AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0)PDF 237 kB
产品聚焦
文档备注
订购信息
产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
ADR423ARMZ 量产8 ld MSOPOTH 50-40 至 125至3.192.88Y
ADR423ARMZ-REEL7 量产8 ld MSOPREEL 1000-40 至 125至02.88Y
ADR423ARZ 量产8 ld SOICOTH 98-40 至 125至3.192.88Y
ADR423ARZ-REEL7 量产8 ld SOICREEL 1000-40 至 125至02.88Y
ADR423BRZ 量产8 ld SOICOTH 98-40 至 125至5.274.43Y
ADR423BRZ-REEL7 量产8 ld SOICREEL 1000-40 至 125至04.43Y
参考资料
ADR420/ADR421/ADR423/ADR425:高精度、低噪声、2.048 V/2.500 V/3.00 V/5.00 V XFET®基准电压源 数据手册 (Rev. H) adr420
ADR420/ADR421/ADR423/ADR425: Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References Data Sheet (Rev. J) adr420
AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0) ad580
CN-0149 adr421