ADR425 超精密、低噪声、5.00 V XFET® 基准电压源 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

ADR425 超精密、低噪声、5.00 V XFET® 基准电压源

ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。精密数据采集系统高分辨率转换器电池供电仪器仪表便携式医疗仪器工业过程控制系统精密仪器光纤网络控制电路

利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。

ADR42x具有出色的噪声性能、稳定性和精度，非常适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚，在±0.5%范围内调整输出电压，其它性能则不受影响。ADR42x系列分为两种电气等级，额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围，提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装（后者比前者小30%）。

数据手册, Rev. H, 6/07

产品特点和性能优势

提供中文数据手册
低噪声（0.1 Hz至10 Hz）
ADR420: 1.75 μV 峰峰值
ADR421: 1.75 μV 峰峰值
ADR423: 2.0 μV峰峰值
ADR425: 3.4 μV峰峰值
低温度系数：3 ppm/°C
长期稳定性：50 ppm/1000小时
负载调整率：70 ppm/mA

电压调整率：35 ppm/V
低迟滞：40 ppm（典型值）
宽工作电压范围
ADR420: 4 V 至 18 V
ADR421: 4.5 V 至18 V
ADR423: 5 V 至18 V
ADR425: 7 V 至 18 V
静态电流：0.5 mA（最大值）
高输出电流：10 mA
宽温度范围：−40°C至+125°C

线性产品

基准电压源

数据手册

文档	备注
ADR420/ADR421/ADR423/ADR425：高精度、低噪声、2.048 V/2.500 V/3.00 V/5.00 V XFET®基准电压源数据手册 (Rev. H)	PDF 632 kB
ADR420/ADR421/ADR423/ADR425: Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References Data Sheet (Rev. J)	PDF 544 kB

应用笔记

文档	备注
AN-348: Avoiding Passive-Component Pitfalls	PDF 931 kB
AN-348: 避开无源元件的陷阱	PDF 931 kB
AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0)	PDF 237 kB

产品聚焦

文档	备注

订购信息

产品型号	封装	包装数量	温度范围	美金报价 100-499	美金报价 1000+	RoHS
ADR425ARMZ 量产	8 ld MSOP	OTH 50	-40 至 125至	3.19	2.88	Y
ADR425ARMZ-REEL7 量产	8 ld MSOP	REEL 1000	-40 至 125至	0	2.88	Y
ADR425ARZ 量产	8 ld SOIC	OTH 98	-40 至 125至	3.19	2.88	Y
ADR425ARZ-REEL7 量产	8 ld SOIC	REEL 1000	-40 至 125至	0	2.88	Y
ADR425BRZ 量产	8 ld SOIC	OTH 98	-40 至 125至	5.27	4.43	Y
ADR425BRZ-REEL7 量产	8 ld SOIC	REEL 1000	-40 至 125至	0	4.43	Y