ADR433 超低噪声、3.0V XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力
ADR43x是XFET系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。
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与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。
ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
产品特点和性能优势- 低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）： 3.5 µV p-p（2.5 V输出）
- 无需外部电容
- 低温度系数
A级： 10 ppm/℃（最大值）
B级： 3 ppm/℃（最大值） - 负载调整率： 15 ppm/mA
- 线性调整率： 20 ppm/V
- 宽工作电压范围：
ADR430： 4.1 V至18 V
ADR431： 4.5 V至18 V
ADR433： 5.0 V至18 V
ADR434： 6.1 V至18 V
ADR435： 7.0 V至18 V - 高输出源电流和吸电流： +30 mA和-20 mA
- 宽工作温度范围： -40 ℃至+125 ℃
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数据手册
应用笔记
产品聚焦
订购信息
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
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| ADR433ARMZ 量产 | 8 ld MSOP | OTH 50 | -40 至 125至 | 4.13 | 3.85 | Y |
| ADR433ARMZ-REEL7 量产 | 8 ld MSOP | REEL 1000 | -40 至 125至 | 0 | 3.85 | Y |
| ADR433ARZ 量产 | 8 ld SOIC | OTH 98 | -40 至 125至 | 3.18 | 2.96 | Y |
| ADR433ARZ-REEL7 量产 | 8 ld SOIC | REEL 1000 | -40 至 125至 | 0 | 2.96 | Y |
| ADR433BRZ 量产 | 8 ld SOIC | OTH 98 | -40 至 125至 | 4.74 | 4.41 | Y |
| ADR433BRZ-REEL7 量产 | 8 ld SOIC | REEL 1000 | -40 至 125至 | 0 | 4.41 | Y |
