ADR433 超低噪声、3.0V XFET®基准电压源,具有吸电流和源电流能力

ADR43x是XFET系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术和XFET(外加离子注入场效应管)技术,可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。 精密数据采集系统 高分辨率数据转换器 医疗仪器 工业过程控制系统 光学控制电路 精密仪器

与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA,最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚,可以在0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。

ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。

产品特点和性能优势
  • 低噪声(0.1 Hz至10.0 Hz): 3.5 µV p-p(2.5 V输出)
  • 无需外部电容
  • 低温度系数
    A级: 10 ppm/℃(最大值)
    B级: 3 ppm/℃(最大值)
  • 负载调整率: 15 ppm/mA
  • 线性调整率: 20 ppm/V
  • 宽工作电压范围:
    ADR430: 4.1 V至18 V
    ADR431: 4.5 V至18 V
    ADR433: 5.0 V至18 V
    ADR434: 6.1 V至18 V
    ADR435: 7.0 V至18 V
  • 高输出源电流和吸电流: +30 mA和-20 mA
  • 宽工作温度范围: -40 ℃至+125 ℃
线性产品
数据手册
文档备注
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435: Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability Data Sheet (Rev. M)PDF 1088 kB
应用笔记
文档备注
AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0)PDF 237 kB
产品聚焦
文档备注
订购信息
产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
ADR433ARMZ 量产8 ld MSOPOTH 50-40 至 125至4.133.85Y
ADR433ARMZ-REEL7 量产8 ld MSOPREEL 1000-40 至 125至03.85Y
ADR433ARZ 量产8 ld SOICOTH 98-40 至 125至3.182.96Y
ADR433ARZ-REEL7 量产8 ld SOICREEL 1000-40 至 125至02.96Y
ADR433BRZ 量产8 ld SOICOTH 98-40 至 125至4.744.41Y
ADR433BRZ-REEL7 量产8 ld SOICREEL 1000-40 至 125至04.41Y
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435: Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability Data Sheet (Rev. M) adr430
AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0) ad580