ADR434 超低噪声、4.096V XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力

ADR43x是XFET系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。

与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。

ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。

ADR434-EP支持军工和航空航天应用（AQEC标准）

文档	备注
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435: Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability Data Sheet (Rev. M)	PDF 1088 kB
ADR431/ADR434/ADR435-DSCC: Military Data Sheet
ADR431-EP/ADR434-EP/ADR435-EP: Enhanced Product Data Sheet (Rev. A)	PDF 145 kB

文档	备注
AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0)	PDF 237 kB

文档	备注
UG-444：评估AD5750工业电流/电压输出驱动器	PDF 0
UG-444: Evaluating the AD5750 Industrial Current/Voltage Output Driver	PDF 399 kB

文档	备注

订购信息

产品型号	封装	包装数量	温度范围	美金报价 100-499	美金报价 1000+	RoHS
ADR434ARMZ 量产	8 ld MSOP	OTH 50	-40 至 125至	4.13	3.85	Y
ADR434ARMZ-REEL7 量产	8 ld MSOP	REEL 1000	-40 至 125至	0	3.85	Y
ADR434ARZ 量产	8 ld SOIC	OTH 98	-40 至 125至	4.13	3.85	Y
ADR434ARZ-REEL7 量产	8 ld SOIC	REEL 1000	-40 至 125至	0	3.85	Y
ADR434BRZ 量产	8 ld SOIC	OTH 98	-40 至 125至	4.74	4.41	Y
ADR434BRZ-REEL7 量产	8 ld SOIC	REEL 1000	-40 至 125至	0	4.41	Y
ADR434TRZ-EP 量产	8 ld SOIC	OTH 98	-55 至 125至	7.11	6.62	Y
ADR434TRZ-EP-R7 量产	8 ld SOIC	REEL 1000	-55 至 125至	0	6.62	Y