ADuM226N 鲁棒的5.0 kV rms双通道数字隔离器(1 反向通道和8.3mm爬电距离)
ADuM226N是一款采用ADI公司iCoupler®技术的双通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体,具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。这些器件的最大传播延迟为13 ns,在5 V下脉冲宽度失真(PWD)小于3 ns。具有严格的3.0 ns(最大值)通道匹配。
ADuM226N数据通道属于独立式通道,提供多种配置选择,可承受5.0 kV rms的电压额定值(参见“订购指南”)。这些器件均可采用1.8 V至5 V电源电压工作,与低压系统兼容,并且能够跨越隔离栅实现电压转换功能。
与其它光耦合器不同,可确保不存在输入逻辑转换时的直流正确性。它们提供两种不同的故障安全选项,输入电源未用或输入禁用时,输出转换到预定状态。
应用
产品特点和性能优势高共模瞬变抗扰度:100 kV/µs对辐射和传导噪声的高抗干扰能力低传播延迟:13 ns(最大值,5 V),15 ns(最大值,1.8 V)最大数据速率:150 Mbps低动态功耗1.8 V至5 V电平转换工作温度最高可达:125°C(最大值)故障安全高或低选项符合RoHS标准的8引脚SOIC封装欲了解更多特性,请参考数据手册 | IBIS模型 |
数据手册
用户手册
订购信息
产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
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ADUM226N0BRIZ 量产 | 8 ld SOIC (increased Creepage) | OTH 80 | -40 至 125至 | 2.16 | 1.91 | Y |
ADUM226N0BRIZ-RL 量产 | 8 ld SOIC (increased Creepage) | REEL 1500 | -40 至 125至 | 0 | 1.91 | Y |
ADUM226N0WBRIZ 量产 | 8 ld SOIC (increased Creepage) | OTH 80 | -40 至 125至 | 2.88 | 2.55 | Y |
ADUM226N0WBRIZ-RL 量产 | 8 ld SOIC (increased Creepage) | REEL 1500 | -40 至 125至 | 0 | 2.55 | Y |
ADUM226N1BRIZ 量产 | 8 ld SOIC (increased Creepage) | OTH 80 | -40 至 125至 | 2.16 | 1.91 | Y |
ADUM226N1BRIZ-RL 量产 | 8 ld SOIC (increased Creepage) | REEL 1500 | -40 至 125至 | 0 | 1.91 | Y |
评估板
产品型号 | 描述 | 美金报价 | RoHS |
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EVAL-1CH2CHSOICEBZ | 1 and 2 Channel Unpopulated SOIC Evaluation Board | 49 | Y |
EVAL-ADUM226N0EBZ | ADuM226N0 Populated 2 Channel ISO Evaluation Board | 49 | Y |