HMC-MDB171是一款单芯片I/Q混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用，外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化。 HMC-MDB171 I/Q MMIC混频器可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。
产品特点和性能优势
| 射频和微波 |
| 文档 | 备注 |
| HMC-MDB171 Data Sheet | PDF 494.78 K |
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HMC-MDB171 量产 | CHIPS OR DIE | OTH 50 | -55 至 85至 | 40.27 | 32.62 | Y |
