HMC1113 GaAs MMIC I/Q下变频器,10 - 16 GHz
HMC1113LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用无铅5 x 5 mm低应力注塑塑料表贴封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益、1.8 dB的噪声系数和25 dBc的镜像抑制性能。 HMC1113LP5E采用LNA,后接由LO缓冲器放大器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器,并可消除镜像频率下的热噪声。 它具有I/Q混频器输出,所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。 HMC1113LP5E为混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造技术。
应用
- 点对点和点对多点无线电
- 军用雷达、EW和ELINT
- 卫星通信
- 海事和移动无线电
产品特点和性能优势转换增益:12 dB镜像抑制:25 dBcLO至RF隔离:45 dB噪声系数:1.8 dBIP3:1 dBm32引脚5 x 5 mm SMT封装 | S参数 |
数据手册
订购信息
产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
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HMC1113LP5E 量产 | 32 ld QFN (5x5mm w/3.651mm ep) | OTH 50 | -40 至 85至 | 40.21 | 35.37 | Y |
HMC1113LP5ETR 量产 | 32 ld QFN (5x5mm w/3.651mm ep) | REEL 500 | -40 至 85至 | 40.21 | 35.37 | Y |
评估板
产品型号 | 描述 | 美金报价 | RoHS |
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EV1HMC1113LP5 | Evaluation Board - HMC1113LP5 Evaluation Board | 228.74 | Y |
参考资料