HMC1131 GaAs、pHEMT、MMIC、中等功率放大器,24 GHz至35 GHz

HMC1131是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)驱动放大器,工作频率范围为24 GHz至35 GHz。 HMC1131在24 GHz至27 GHz范围下提供22 dB增益、35 dBm输出IP3和24 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为225 mA(采用5 V电源)。 HMC1131可提供25 dBm的饱和输出功率,采用紧凑型4 mm × 4 mm无引脚陶瓷芯片载体封装(24-引脚LCC)。 HMC1131是一款适合各种应用(范围为24 GHz至35 GHz)的驱动放大器,包括点到点无线电。

应用
  • 点对点无线电
  • 点对多点无线电
  • VSAT和SATCOM
产品特点和性能优势
  • 高饱和输出功率(PSAT): 25 dBm
  • 高输出三阶交调截点(IP3): 35 dBm
  • 高增益: 22 dB(24 GHz至27 GHz)
  • 针对1 dB压缩(P1dB)的高输出功率: 24 dBm
  • 直流电源: 5 V (225 mA)
  • 紧凑型24引脚、4 mm × 4 mm LCC封装
射频和微波
数据手册
文档备注
HMC1131: GaAs, pHEMT, MMIC, Medium Power Amplifier, 24 GHz to 35 GHz Data Sheet (Rev. A)PDF 349.51 K
应用笔记
文档备注
AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
订购信息
产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
HMC1131LC4 量产24 ld LCCOTH 50-40 至 85至41.7534.15Y
HMC1131LC4TR 量产24 ld LCCREEL 100-40 至 85至41.7534.15Y
评估板
产品型号描述美金报价RoHS
EV1HMC1131LC4Evaluation Board248.6Y
HMC1131: GaAs, pHEMT, MMIC, Medium Power Amplifier, 24 GHz to 35 GHz Data Sheet (Rev. A) hmc1131
AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e