HMC263-Die 低噪声放大器芯片,24 - 36 GHz

毫米波点对点无线电 LMDS  VSAT  SATCOM

HMC263芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为24至36 GHz。 由于尺寸较小(3.29 mm²),该芯片可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 该芯片采用GaAs PHEMT工艺制造而成,采用3 V (58 mA)单个偏置电源时提供22 dB增益,噪声系数为2 dB。 所有数据均通过50 Ω测试夹具中的芯片获取,通过直径为0.076 mm (3 mil)、最小长度为0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。 HMC263可配合HMC264或HMC265混频器使用,以实现毫米波系统接收机。

应用

产品特点和性能优势
  • 出色的噪声系数: 2 dB
  • 增益: 22 dB
  • 单电源: +3V (58 mA)
  • 小尺寸: 2.48 x 1.33 x 0.1 mm
  • 放大器
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC263 Die DatasheetPDF 596.14 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC263 量产CHIPS OR DIEOTH 25-55 至 85至55.1344.66Y
    HMC263-SX 量产CHIPS OR DIEOTH 2-55 至 85至00Y
    参考资料
    HMC263 Die Datasheet hmc263-die
    HMC263 Die S-Parameters hmc263-die
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
    Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-A (QTR: 2013-00267) hmc263lp4e