HMC263LP4E 低噪声放大器,采用SMT封装,24 - 36 GHz

HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为24至36 GHz,采用无引脚SMT塑料封装。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工艺制造而成,采用3 V (58 mA)单个偏置电源时提供20 dB增益,噪声系数为2.2 dB。HMC263LP4E可配合HMC264LC3B或HMC265LM3混频器使用,以实现毫米波系统接收机。 隔直RF I/O匹配至50 Ω,无需外部元件。

应用
  • 毫米波点对点无线电
  • LMDS
  • VSAT
  • SATCOM
产品特点和性能优势
  • 低噪声系数: 2.2 dB
  • 高增益: 20 dB
  • 单正电源: +3V或+5V
  • 隔直RF I/O
  • 无需外部匹配
  • 24引脚4x4mm QFN封装: 16mm²
  • 放大器
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC263LP4E DatasheetPDF 692.77 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC263LP4E 量产HCP-16 ld QFN (3x3mm w/1.725mm ep)OTH 50-55 至 85至45.236.61Y
    HMC263LP4ETR 量产HCP-16 ld QFN (3x3mm w/1.725mm ep)REEL 500-55 至 85至45.236.61Y
    评估板
    产品型号描述美金报价RoHS
    123965-HMC263LP4EEvaluation Board - HMC263LP4E Evaluation PCB-1Y
    参考资料
    HMC263LP4E Datasheet hmc263lp4e
    HMC263LP4 S-Parameters hmc263lp4e
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
    Package/Assembly Qualification Test Report: LP4, LP4B, LP4C, LP4K (QTR:... hmc349alp4ce
    Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-A (QTR: 2013-00267) hmc263lp4e
    4 x 4 mm QFN Tape Specification (LP4, LP4B, LP4C, LC4, LC4B) hmc641alp4e