HMC362S8G 使用InGaP HBT技术,4分频,采用SMT封装,DC - 12 GHz

HMC362S8G(E)是一款低噪声4分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,采用8引脚表贴塑料封装。 此器件在DC(使用方波输入)至12 GHz的输入频率下工作,使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-149 dBc/Hz,有助于用户保持良好的系统噪声性能。

应用
  • 卫星通信系统
  • 光纤产品
  • 点对点无线电
  • 点对多点无线电
  • VSAT
产品特点和性能优势
  • 超低SSB相位噪声: 149 dBc/H
  • 宽带宽
  • 输出功率: -6 dBm
  • 单直流电源: +5V
  • S8G SMT 封装
射频和微波
航空航天和防务
  • 解决方案
数据手册
文档备注
HMC362S8G Data SheetPDF 588.14 K
订购信息
产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
HMC362S8G 量产8 ld SOIC_EPOTH 50-40 至 85至14.5911.81N
HMC362S8GE 量产8 ld SOIC_EPOTH 50-40 至 85至11.679.45Y
HMC362S8GETR 量产8 ld SOIC_EPREEL 500-40 至 85至11.679.45Y
HMC362S8GTR 量产8 ld SOIC_EPREEL 500-40 至 85至14.5911.81N
评估板
产品型号描述美金报价RoHS
104631-HMC362S8GEvaluation Board - HMC362S8G Evaluation PCB248.85Y
参考资料
HMC362S8G Data Sheet hmc362s8g
Semiconductor Qualification Test Report: GaAs HBT-A (QTR: 2013-00228) hmc587
Package/Assembly Qualification Test Report: Plastic Encapsulated SOIC (QTR:... hmc754
PCN: MS, QS, SOT, SOIC packages - Sn/Pb plating vendor change hmc536ms8g
HMC Legacy PCN: S## and S##E packages - Relocation of pre-existing... hmc754
SOIC 8 Tape Specification (S8, S8G) hmc754