HMC383-Die 中等功率放大器芯片,12 - 30 GHz

HMC383是一款通用型GaAs PHEMT MMIC驱动放大器,工作频率范围为12至30 GHz。 该放大器采用+5V电源,增益为16 dB,饱和功率为+18 dBm。 在整个工作频带内具有一致的增益和输出功率,因而可以在多个无线电频段使用一个通用的驱动器/LO放大器。 由于尺寸较小、采用单电源工作和隔直RF I/O,HMC383放大器可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度为0.31 mm (12 mils)的焊线连接。

应用
  • 点对点无线电
  • 点对多点无线电和VSAT
  • 测试设备和传感器
  • HMC混频器LO驱动器
  • 军事和太空
产品特点和性能优势
  • 增益: 16 dB
  • 饱和输出功率: +18 dBm
  • 输出IP3: +25 dBm
  • 单正电源:
    +5V (101 mA)
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 裸片尺寸: 2.26 x 1.35 x 0.1 mm
射频和微波
S参数
数据手册
文档备注
HMC383 Die DatasheetPDF 618.17 K
应用笔记
文档备注
AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
订购信息
产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
HMC383 量产CHIPS OR DIEOTH 25-55 至 85至39.5632.04Y
HMC383-SX 量产CHIPS OR DIEOTH 2-40 至 85至00Y
参考资料
HMC383 Die Datasheet hmc383-die
HMC383 Die S-Parameters hmc383-die
AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-F (QTR: 2013-00269) hmc383lc4