HMC536MS8G 3 W SPDT T/R开关,采用SMT封装,DC - 6 GHz

应用

HMC536MS8G(E)是一款DC至6 GHz GaAs MMIC T/R开关,采用8引脚MSOP8G表贴封装,带有裸露接地焊盘。 该开关非常适合蜂窝/PCS/3G基站应用,具有0.5 dB的低插入损耗和+55 dBm的输入IP3。 该开关在6 GHz上提供出色的功率处理性能,并且P0.1dB压缩点为+29 dBm(+3V控制电压)。 片内电路可在很低的DC电流下实现0/+3 V或0/+5 V的正电压控制。

产品特点和性能优势
  • 输入P0.1dB: +34 dBm (+5V)
  • 插入损耗: 0.5 dB
  • 正控制电压: +3V或+5V
  • MS8G SMT封装,14.8 mm2
  • 隔离: 27 dB
  • 较快的开关速度
开关和多路复用器
S参数
数据手册
文档备注
HMC536MS8G Data SheetPDF 552.6 K
订购信息
产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
HMC536MS8G 量产8 ld MSOP_EPOTH 50-40 至 85至4.033.26N
HMC536MS8GE 量产8 ld MSOP_EPOTH 50-40 至 85至2.822.33Y
HMC536MS8GETR 量产8 ld MSOP_EPREEL 500-40 至 85至2.822.33Y
HMC536MS8GTR 量产8 ld MSOP_EPREEL 500-40 至 85至4.033.26N
评估板
产品型号描述美金报价RoHS
105143-HMC536MS8GEvaluation Board - HMC536MS8G Evaluation PCB109.99Y
参考资料
HMC536MS8G Data Sheet hmc536ms8g
HMC536MS8G S-Parameters hmc536ms8g
Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-B (QTR: 2013-00233) hmc536ms8g
Package/Assembly Qualification Test Report: MS8G (QTR: 2014-00393) hmc536ms8g
PCN: MS, QS, SOT, SOIC packages - Sn/Pb plating vendor change hmc536ms8g
HMC Legacy PCN: MS##, MS##E and MS##G,MS##GE packages - Relocation of... hmc536ms8g
MSOP 8 & 10 Tape Specification (MS8, MS8G, MS10, MS10G) hmc349ams8g