HMC590-Die 1 W功率放大器芯片,6 - 10 GHz

HMC590是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC 1 W功率放大器,工作频率范围为6至10 GHz。 该放大器裸片提供24 dB增益,饱和功率为+31.5 dBm,电源电压为+7.0V (25% PAE)。 隔直RF I/O匹配至50 Ω,可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。

所有数据均通过50 Ω测试夹具中的芯片获取,通过直径为0.025mm (1 mil)、长度为0.31mm (12 mil)的线焊连接。 对于需要最佳OIP3的应用,Idd应设置为520 mA以产生+41 dBm OIP3。 对于需要最佳输出P1dB的应用,Idd应设置为820 mA以产生高达+32 dBm输出P1dB。

应用

产品特点和性能优势
  • 饱和输出功率:
    +31.5 dBm (25% PAE)
  • 输出IP3: +41 dBm
  • 增益: 24 dB
  • 直流电源: +7V (820 mA)
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 裸片尺寸: 2.47 x 1.33 x 0.1 mm
  • 放大器
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC590 Die DatasheetPDF 643.58 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC590 量产CHIPS OR DIEOTH 25-55 至 85至43.0834.89Y
    HMC590-SX 量产CHIPS OR DIEOTH 2-55 至 85至00Y
    参考资料
    HMC590 Die Datasheet hmc590-die
    HMC590 Die S-Parameters hmc590-die
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
    Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-B (QTR: 2013-00233) hmc536ms8g